Jihokorejská společnost Samsung Electronics Corporation vyvinula paměťový čip s vysokou propustností (HBM) standardu HBM3E s největší kapacitou na trhu 36 GB. Zařízení zvýší rychlost zpracování procesů v algoritmech využívajících umělou inteligenci (AI). Společnost to oznámila na svém informačním portálu.
»Společnosti v odvětví umělé inteligence stále více potřebují zařízení HBM s vysokým výkonem, nový 12vrstvý čip jim v tom pomůže,« uvedl výkonný viceprezident pro plánování produktů počítačových pamětí společnosti Samsung Electronics Bae Yoon Chul. S tímto zařízením se prý může průměrná rychlost učení umělé inteligence zvýšit o 34 procent.
Čip využívá 12vrstvé uspořádání paměti DRAM, které v kombinaci s kapacitou 36 GB může zvýšit výkon zařízení o 50 % oproti předchozí generaci standardu HBM3. Nový paměťový čip s vysokou propustností dokáže zpracovat až 1280 GB za sekundu, což odpovídá stažení 40 filmů v ultra vysokém rozlišení za pouhou jednu sekundu.
HBM je typ počítačové paměti, která využívá vrstvené uspořádání několika vrstev čipů. Integrované obvody jsou uspořádány v několika vrstvách nad sebou, což umožňuje zmenšit velikost zařízení a také zvýšit šířku sběrnice a rychlost přenosu dat. Vývoj této technologie zahájila v roce 2008 americká společnost AMD.
(cik, TASS)